Témakiírások
Teljesítmény félvezető eszközök megbízhatósági és élettartam vizsgálata, áramkör-szimulációs modellezése
témakiírás címe
Teljesítmény félvezető eszközök megbízhatósági és élettartam vizsgálata, áramkör-szimulációs modellezése
doktori iskola
témakiíró
tudományág
témakiírás leírása
A nagy teljesítményű elektronikai rendszerek – például az elektromos járművek, a megújuló energiaátalakítók és a korszerű hajtásrendszerek – rohamos fejlődésével a teljesítmény-félvezető eszközök kutatása és modellezése stratégiai fontosságúvá vált. A modern félvezetők, mint a szilícium-alapú IGBT-k és MOSFET-ek, valamint az új, széles tiltott sávú félvezetőkön (SiC, GaN) alapuló eszközök, egyre magasabb hőmérsékleteken és gyorsabb hőingadozások mellett működnek. Ez jelentős kihívásokat teremt, mivel az eszközök megbízhatóságát és az élettartamát befolyásoló elektro-termikus és mechanikai kölcsönhatások csak részben feltártak, és a tervezési módszertanokban csak korlátozottan jelennek meg.
A hallgató feladata a teljesítmény-félvezető eszközök (például korszerű IGBT-, SiC- és MOSFET-struktúrák, nagy teljesítményű LED-ek) elektro-termikus laboratóriumi vizsgálata, mely során feltárja a degradációs és meghibásodási folyamatokat. A cél teljesítmény- és hőciklusos, valamint termikus tranziens mérések segítségével a tipikus megbízhatósági problémák (például a huzalkötések fáradása, a rétegek delaminációja, a hővezető kötések károsodása) azonosítása és elkülönítése az eszköz tönkremeneteli folyamata során. A munka további célja a kísérleti eredményekre támaszkodva – lehetőség szerint mesterséges intelligenciával is támogatott – szimulációs modellek kidolgozása illetve e modellek bizonytalanságának vizsgálata. Az így kapható eredmények hozzájárulnak a mért és modellezett eredmények pontosságának, reprodukálhatóságának és prediktív értékének javításához, továbbá alapot teremtenek az adatvezérelt validációs és hibaanalízis-módszerek fejlesztéséhez.
A hallgató feladata a teljesítmény-félvezető eszközök (például korszerű IGBT-, SiC- és MOSFET-struktúrák, nagy teljesítményű LED-ek) elektro-termikus laboratóriumi vizsgálata, mely során feltárja a degradációs és meghibásodási folyamatokat. A cél teljesítmény- és hőciklusos, valamint termikus tranziens mérések segítségével a tipikus megbízhatósági problémák (például a huzalkötések fáradása, a rétegek delaminációja, a hővezető kötések károsodása) azonosítása és elkülönítése az eszköz tönkremeneteli folyamata során. A munka további célja a kísérleti eredményekre támaszkodva – lehetőség szerint mesterséges intelligenciával is támogatott – szimulációs modellek kidolgozása illetve e modellek bizonytalanságának vizsgálata. Az így kapható eredmények hozzájárulnak a mért és modellezett eredmények pontosságának, reprodukálhatóságának és prediktív értékének javításához, továbbá alapot teremtenek az adatvezérelt validációs és hibaanalízis-módszerek fejlesztéséhez.
felvehető hallgatók száma
1 fő
helyszín
EET
jelentkezési határidő
2026-01-15