Mint ismeretes nanostruktúrák alkalmazásával újfajta félvezető eszközök készíthetőek ill. a hagyományos eszközök teljesítőképessége drasztikusan növelhető velük. A vegyületfélvezető eszközök előállításának alapvető technológiai lépése az epitaxiás kristálynövesztés. Több féle epitaxiás eljárás létezik, melyek közül az (ultranagy vákuum körülmények között történő) molekulasugaras technika a monoréteg-szintű szabályozhatóság és az in-situ megfigyelhetőség okán kiemelkedik. A molekulasugár-epitaxia előnyei az alacsony-dimenziós rendszerek (szuperrácsok, kvantumpontok stb.) növesztése során érvényesül igazán. Jelen téma a GaAs és rokon félvezetőkből készülő nanostruktúrák technológiájával és növekedéskinetikájuk tanulmányozásával foglalkozik.
Mivel e struktúrák (kvantumpontok, kvantumgyűrűk stb.) növesztése az önszerveződés kihasználásával történik, nagyon fontos a molekulasugár-epitaxiás berendezés és technológiai lehetőségeinek ismerete. Ezen ismereteket egy igen előrehaladott fejlesztési állapotban lévő berendezés körüli munkálatokba való bekacsolódással lehet megszerezni.
A munka során a jelölt a molekulasugár-epitaxia elméletén, technológiáján kívül in-situ (súrolószögű elektrondiffrakció, tömegspektrometria) és ex-situ (atomerő- és transzmissziós elektronmikroszkópia, fotolumineszencia stb.) méréstechnikákkal és kiértékelésükkel ismerkedhet meg.
felvehető hallgatók száma: 1
Jelentkezési határidő: 2019-01-07
2024. IV. 17. ODT ülés Az ODT következő ülésére 2024. június 14-én, pénteken 10.00 órakor kerül sor a Semmelweis Egyetem Szenátusi termében (Bp. Üllői út 26. I. emelet).
Bejelentkezés
