A termofeszültség méréssel egy minta felületére adott távolságban elhelyezett melegponti és hidegponti elektróda közötti feszültség mérhető. A két pont közötti feszültség (a Seebeck-hatásnak megfelelően) a melegpont és a hidegpont hőmérsékletkülönbségének hatására alakul ki. A termofeszültség mérés a felületközeli rétegek elektronállapotáról ad információt. Azonban nem teljesen tisztázott, hogy vékonyrétegek mérése során a rétegvastagság csökkentésével tapasztalható változások milyen mértékben fizikai, vagy inkább a mérés módszeréből adódó hatások.
A kutatási téma célja a fizikai és a módszerbeli hatások szétválasztása. Egyik oldalról arra keressük a választ, hogy mekkora a termofeszültség mérés mélységérzékenysége, másik oldalról a vékonyréteg rétegvastagságának csökkentése milyen valós elektronállapotbeli módosulásokat eredményez.
előírt nyelvtudás: angol középfok felvehető hallgatók száma: 1
Jelentkezési határidő: 2019-05-27
2024. IV. 17. ODT ülés Az ODT következő ülésére 2024. június 14-én, pénteken 10.00 órakor kerül sor a Semmelweis Egyetem Szenátusi termében (Bp. Üllői út 26. I. emelet).
Bejelentkezés
