témavezető: Horváth Zsolt József
helyszín (magyar oldal): Óbudai Egyetem KVK helyszín rövidítés: ÓE
A kutatási téma leírása:
A számítástechnikában és telekommunikációban egyre szélesebb körben használatos elektromosan újra-programozható (EEPROM és flash) memóriák működése azon alapszik, hogy a fém, szigetelő, félvezető (MIS) térvezérlésű tranzisztor (FET) küszöbfeszültsége változtatható a vezérlőelektródára (gate) kapcsolt feszültségimpulzusok segítségével. A küszöbfeszültség változás annak a következménye, hogy a feszültségimpulzus hatására a szigetelő rétegbe elektromos töltés injektálódik, melynek kis része keresztülfolyik a szigetelő rétegen, de nagyobb része tárolódik a szigetelőréteg csapdáiban vagy a rétegbe szándákosan beépített fém vagy polikristályos szilícium elektródán. A töltés normál körülmények között csak nagyon lassan szabadul ki (több év), viszont ellentétes irányú feszültségimpulzussal törölhető. A jelenlegi kutatások során olyan szigetelő szerkezetekkel is folynak kísérletek, melyek félvezető vagy fém nanokristályokat tartalmaznak, és a bevitt töltést ezek a nanokristályok fogják be és tárolják.
Kutatási célok:
A jelölt ismerkedjen meg a memóriatranzisztorok működésének fizikai hátterével, jellemző paramétereivel. Ismerkedjen meg a töltésbevitel és töltéstárolás szempontjából jelentőséggel bíró fizikai folyamatokkal és mechanizmusokkal. Elemezze a töltésbeviteli és töltéstárolási tulajdonságok és az anyagparaméterek ill. rétegvastagságok közötti kapcsolatot. A rendelkezésre bocsátott nem illékony memóriaszerkezeteken végezzen összehasonlító vizsgálatokat a memóriatuajdonságok vonatkozásában.
felvehető hallgatók száma: 1
Jelentkezési határidő: 2018-05-31
2024. IV. 17. ODT ülés Az ODT következő ülésére 2024. június 14-én, pénteken 10.00 órakor kerül sor a Semmelweis Egyetem Szenátusi termében (Bp. Üllői út 26. I. emelet).
Bejelentkezés
