témavezető: Mizsei János
helyszín (magyar oldal): Elektronikus Eszközök Tanszéke helyszín rövidítés: EET
A kutatási téma leírása:
A szilárdtestek felületén megjelenő potenciálok vizsgálata sok szempontból alapvető fontosságú. A felület minősége, kapcsolata a tömbbel, illetve kölcsönhatása a környező gáztérrel döntően befolyásolja a kialakuló potenciálviszonyokat. Az egyik legpontosabb, és atmoszferikus körülmények között is használható módszer a felületi potenciál megmérésére a rezgőkondenzátoros (Kelvin) eljárás.
Az elektronika és a számítógépes adatgyüjtési és feldolgozási lehetőségek kiszélesedésével egyre több információ nyerhető ezzel a módszerrel is a szilárdtest felületekről. A kutatás iránya a mérési összeállítás fejlesztésén kívül (x-y térképezés, fotogerjesztéssel kombinált mérés) kiterjedhet a félvezetők felületi tartományainak vizsgálatára (ultravékony SiO2-Si átmenetek, gázérzékeny félvezető anyagok), valamint szigetelő-vezető rendszerek töltésviszonyaira. Nagyobb felületről nyert adatokból potenciál-eloszlás térkép készíthető, amely jellemzi a laterális inhomogenitásokat. Így a módszer a legújabb VLSI technológiák minősítésében is szerepet kap.
A jelentkezővel szemben támasztott elvárások:
Félvezető fizikai és technológiai ismeretek, P.C. programozási gyakorlat, az angol nyelvtudás feltétel, a német előny.
előírt nyelvtudás: Angol felvehető hallgatók száma: 1
Jelentkezési határidő: 2018-07-30
2024. IV. 17. ODT ülés Az ODT következő ülésére 2024. június 14-én, pénteken 10.00 órakor kerül sor a Semmelweis Egyetem Szenátusi termében (Bp. Üllői út 26. I. emelet).
Bejelentkezés
