Bejelentkezés
 Fórum
 
 
Személyi adatlap
 Nyomtatási kép
ARCHÍV OLDAL
Az adatok hitelességéről nyilatkozott: 2013. XII. 20.
Személyes adatok
név Nguyen Quoc Khánh
intézmény neve
doktori iskola
BME Fizikai Tudományok Doktori Iskola (oktató)
PE Molekuláris- és Nanotechnológiák Doktori Iskola (oktató)
doktori képzéssel kapcsolatos munkájának megoszlása BME Fizikai Tudományok Doktori Iskola 50%
PE Molekuláris- és Nanotechnológiák Doktori Iskola 50%
Elérhetőségek
drótpostacím n.q.khanhttk.mta.hu
telefonszám +36 1 392-2222/3150
Fokozat, cím
tudományos fokozat, cím PhD
fokozat megszerzésének éve 1998
fokozat tudományága anyagtudományok és technológiák
fokozatot kiadó intézmény neve Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem
Jelenlegi munkahelyek
1988 - MTA-TTK, Műszaki Fizikai és Anyagtudományi Intézet (további intézmény)
további (Tud. főmts)
Témavezetés
témavezetői tevékenysége során eddig vezetésére bízott doktoranduszok száma 0
ezek közül abszolutóriumot szerzettek száma 0
témavezetettjei közül fokozatot szereztek:
  Témakiírások
Kutatás
kutatási terület Félvezető technológia (Ionimplantáció - Si,SiC stb.) Ionsugaras analitika (RBS, ERD) Nanotechnológia (ZnO)
jelenlegi kutatásainak tudományága anyagtudományok és technológiák
Közlemények
2013

C Frigeri, M Serényi, N Q Khánh, A Csik, L Nasi, Z Erdélyi, D L Beke, H -G Boyen: Hydrogen behaviour in amorphous Si/Ge nano-structures after annealing, APPLIED SURFACE SCIENCE 267: pp. 30-34.
dokumentum típusa: Folyóiratcikk/Szakcikk
impakt faktor: 2.112*
független idéző közlemények száma: 1
nyelv: angol
DOI 
2012

N Q Khánh, M Serényi, A Csik, C Frigeri: Determination of hydrogen concentration in a-Si and a-Ge layers by elastic recoil detection analysis, VACUUM 86: (6) pp. 711-713.
dokumentum típusa: Folyóiratcikk/Szakcikk
impakt faktor: 1.530
független idéző közlemények száma: 1
nyelv: angol
DOI 
2012

Khánh N Q, Lukács I, Sáfrán Gy, Erdélyi R, Fülöp E, Deák A, Volk J: Effect of nanosphere monolayer on the morphology of ZnO nanowires grown by hydrothermal method, MATERIALS LETTERS 79: pp. 242-244. Paper 10.1016/j.matlet.2012.04.038.
dokumentum típusa: Folyóiratcikk/Szakcikk
impakt faktor: 2.224
független idéző közlemények száma: 1
nyelv: angol
DOI 
2011

Lohner T, Csíkvári P, Khánh NQ, Dávid S, Horváth ZE, Petrik P, Hárs G: Spectroellipsometric and ion beam analytical investigation of nanocrystalline diamond layers, THIN SOLID FILMS 519: (9) pp. 2806-2810.
dokumentum típusa: Folyóiratcikk/Szakcikk
impakt faktor: 1.890
független idéző közlemények száma: 1
nyelv: angol
DOI 
2009

Khánh NQ, Berneschi S, Bányász I, Brenci M, Fried M, Nunzi Conti G, Pászti F, Pelli S, Righini GC, Watterich A: Fabrication of channel waveguides in Er3+-doped tellurite glass via N+ ion implantation, NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS 267: (12-13) pp. 2327-2330.
dokumentum típusa: Folyóiratcikk/Szakcikk
impakt faktor: 1.156
független idéző közlemények száma: 5
nyelv: angol
DOI 
2007

Berneschi S, Conti GN, Banyasz I, Watterich A, Khanh NQ, Fried M, Paszti F, Brenci M, Pelli S, Righini GC: Ion beam irradiated channel waveguides in Er3+-doped tellurite glass, APPLIED PHYSICS LETTERS 90: (12) 3 p. Paper 121136.
dokumentum típusa: Folyóiratcikk/Szakcikk
impakt faktor: 3.596
független idéző közlemények száma: 39
nyelv: angol
DOI 
2002

Biro LP, Khanh NQ, Vertesy Z, Horvath ZE, Osvath Z, Koos A, Gyulai J, Kocsonya A, Konya Z, Zhang XB, van Tendeloo G, Fonseca A, Nagy JB: Catalyst traces and other impurities in chemically purified carbon nanotubes grown by CVD, MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING C-BIOMIMETIC AND SUPRAMOLECULAR SYSTEMS 19: (1-2) pp. 9-13.
dokumentum típusa: Folyóiratcikk/Szakcikk
impakt faktor: 0.734
független idéző közlemények száma: 29
nyelv: angol
DOI 
2000

Khánh NQ, Zolnai Z, Lohner T, Tóth L, Dobos L, Gyulai J: He ion beam density effect on damage induced in SiC during Rutherford backscattering measurement, NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS 161: pp. 424-428.
dokumentum típusa: Folyóiratcikk/Szakcikk
impakt faktor: 0.955
független idéző közlemények száma: 10
nyelv: angol
DOI 
1996

Ducso Cs, Khanh NQ, Horvath ZsE, Barsony I, Utriainen M, Lehto S, Neiminen M, Niinisto L: Deposition of tin oxide into porous silicon by atomic layer epitaxy, JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY 143: (2) pp. 683-687.
dokumentum típusa: Folyóiratcikk/Szakcikk
impakt faktor: 1.910
független idéző közlemények száma: 23
nyelv: angol
1996

Khanh NQ, Pinter I, Ducso C, Adam M, Szilagyi E, Barsony I, ElSherbiny MA, Gyulai J: Ion beam analysis of plasma immersion implanted silicon for solar cell fabrication, NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS 112: (1-4) pp. 259-262.
dokumentum típusa: Folyóiratcikk/Szakcikk
impakt faktor: 1.140
független idéző közlemények száma: 7
nyelv: angol
DOI 
a legjelentősebbnek tartott közleményekre kapott független hivatkozások száma:117 
Tudománymetriai adatok
Tudományos közlemény- és idézőlista mycite adattárban
a 10 válogatott közlemény közé kiválasztható közleményeinek száma:
70
összes tudományos és felsőoktatási közleményének száma:
113
kiválasztható monográfiák és szakkönyvek:
0
monográfiák és szakkönyvek száma melyben fejezetet/részt írt:
0 
összes tudományos közleményének és alkotásainak független idézettségi száma:
379


2019. IX. 13.
ODT ülés
Az ODT következő ülésére 2019. november 22-én 10.00 órakor kerül sor a Semmelweis Egyetem Szenátusi termében (Bp. Üllői út 26. I. emelet).

 
Minden jog fenntartva © 2007, Országos Doktori Tanács - a doktori adatbázis nyilvántartási száma az adatvédelmi biztosnál: 02003/0001. Program verzió: 2.2358 ( 2017. X. 31. )