Bejelentkezés
 Fórum


 Doktori képzés 

 Doktori védések 

 Honosított fokozatok 

 Habilitációs előadások 

 Dokumentumok 

 Kapcsolatok 
 
 
Személyi adatlap
 Nyomtatási kép
Az adatok hitelességéről nyilatkozott: 2018. X. 24.
Személyes adatok
Riesz Ferenc
név Riesz Ferenc
intézmény neve
doktori iskola
BME Fizikai Tudományok Doktori Iskola (oktató)
Elérhetőségek
drótpostacím rieszmfa.kfki.hu
telefonszám +36 1 392-2222/3156
saját honlap
saját honlap (angol)
Fokozat, cím
tudományos fokozat, cím PhD
fokozat megszerzésének éve 1994
fokozat tudományága villamosmérnöki tudományok
fokozatot kiadó intézmény neve MTA Tudományos Minősítő Bizottság
tudományos fokozat, cím CSc
fokozat megszerzésének éve 1994
fokozat tudományága
fokozatot kiadó intézmény neve MTA
Jelenlegi munkahelyek
2015 - MTA Energiatudományi Kutatóközpont, Műszaki Fizikai és Anyagtudományi Intézet (további intézmény)
további (tudományos főmunkatárs)
Témavezetés
témavezetői tevékenysége során eddig vezetésére bízott doktoranduszok száma 1
ezek közül abszolutóriumot szerzettek száma 1
témavezetettjei közül fokozatot szereztek:
Lukács István Endre PhD 2006  FTDI-BME
  Témakiírások
Kutatás
kutatási terület félvezetők fizikája és technológiája, síkjellegű felületek optikai metrológiája, Makyoh-topográfia
jelenlegi kutatásainak tudományága villamosmérnöki tudományok
fizikai tudományok
Közlemények
2016

 Bosi M, Attolini G, Negri M, Ferrari C, Buffagni E, Frigeri C, Calicchio M, Pecz B, Riesz F, Cora I, Osvath Z, Jiang L, Borionetti G: Defect structure and strain reduction of 3C-SiC/Si layers obtained with the use of a buffer layer and methyltrichlorosilane addition, CRYSTENGCOMM 18: (15) pp. 2770-2779.
dokumentum típusa: Folyóiratcikk/Szakcikk
független idéző közlemények száma: 1
nyelv: angol
URL 
2014

 Ryć L, Barna A, Calcagno L, Földes IB, Parys P, Riesz F, Rosińsk M, Szatmári S, Torrisi L: Measurement of ion emission from plasmas obtained with a 600 fs KrF laser, PHYSICA SCRIPTA 2014: (T161) Paper 014032. 5 p.
dokumentum típusa: Folyóiratcikk/Szakcikk
nyelv: angol
URL 
2014

 Biró F, Dücso C, Hajnal Z, Riesz F, Pap AE, Bársony I: Thermo-mechanical design and characterization of low dissipation micro-hotplates operated above 500 °C, MICROELECTRONICS JOURNAL 45: (12) pp. 1822-1828.
dokumentum típusa: Folyóiratcikk/Szakcikk
független idéző közlemények száma: 1
nyelv: angol
DOI 
2014

 I Bársony, Cs Dücső, P Fürjes, F Riesz, Z Hajnal, G Battistig: Membrane Platforms for Sensors, PROCEDIA ENGINEERING 87: pp. 871-878.
dokumentum típusa: Folyóiratcikk/Összefoglaló cikk
nyelv: angol
DOI 
2013

 Riesz F: Non-linearity and related features of Makyoh (magic-mirror) imaging, JOURNAL OF OPTICS 15: (7) Paper 075709. 14 p.
dokumentum típusa: Folyóiratcikk/Szakcikk
nyelv: angol
URL 
2000

 Riesz F: Geometrical optical model of the image formation in Makyoh (magic-mirror) topography, JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS 33: (23) pp. 3033-3040.
dokumentum típusa: Folyóiratcikk/Szakcikk
független idéző közlemények száma: 21
nyelv: angol
1996

 Riesz F: Crystallographic tilting in high-misfit (100) semiconductor heteroepitaxial systems, JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY A-VACUUM SURFACES AND FILMS 14: (2) pp. 425-430.
dokumentum típusa: Folyóiratcikk/Szakcikk
független idéző közlemények száma: 37
nyelv: angol
1996

 Riesz F: Crystallographic tilting in lattice-mismatched heteroepitaxy: A Dodson-Tsao relaxation approach, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 79: (8) pp. 4111-4117.
dokumentum típusa: Folyóiratcikk/Szakcikk
független idéző közlemények száma: 20
nyelv: angol
1993

 Riesz F: The role of surface steps in the asymmetric surface dislocation nucleation in vicinal heterostructures with compressive and tensile stresses, SURFACE SCIENCE 292: (3) pp. L817-L820.
dokumentum típusa: Folyóiratcikk/Szakcikk
független idéző közlemények száma: 8
nyelv: angol
1991

 Riesz F, Lischka K, Rakennus K, Hakkarainen T, Pesek A: Tilting of lattice planes in InP epilayers grown on miscut GaAs substrates: the effect of initial growth conditions, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 114: (1-2) pp. 127-132.
dokumentum típusa: Folyóiratcikk/Szakcikk
független idéző közlemények száma: 18
nyelv: angol
a legjelentősebbnek tartott 10 közleményre kapott független hivatkozások száma:106 
Tudománymetriai adatok
Saját közlemény- és idézőlista Tudományos közlemény- és idézőlista mycite adattárban
a 10 válogatott közlemény közé kiválasztható közleményeinek száma:
149
összes tudományos és felsőoktatási közleményének száma:
165
kiválasztható monográfiák és szakkönyvek:
0
monográfiák és szakkönyvek száma melyben fejezetet/részt írt:
1 
összes tudományos közleményének és alkotásainak független idézettségi száma:
394
Akkreditációs szempontból jelentős egyéb információk
Nemzetközi szabadalom: Lukács IE (23%), Makai JP (24%), Pfitzner L (5%), Riesz F (34%), Szentpáli B (14%) Apparatus and measurement procedure for the fast, quantitative, non-contact topographic investigation of semiconductor wafers and other mirror like surfaces European Patent EP 1 434 981 B1, July 5, 2006 US Patent 7,133,140 B2, November 7, 2006


2019. I. 10.
ODT ülés
Az ODT következő ülésére 2019. február 22-én 10.00 órakor kerül sor a Semmelweis Egyetem Szenátusi termében (Bp. Üllői út 26. I. emelet).
 
Minden jog fenntartva © 2007, Országos Doktori Tanács - a doktori adatbázis nyilvántartási száma az adatvédelmi biztosnál: 02003/0001. Program verzió: 2.2358 ( 2017. X. 31. )