témavezető: Cora Ildikó
helyszín (magyar oldal): HUN-REN Energiatudományi Kutatóközpont, Műszaki Fizikai és Anyagtudományi Intézet, Vékonyréteg Fizika Laboratórium helyszín rövidítés: H-REN
A kutatási téma leírása:
"Adalékolt és tiszta Ga-oxid a rokon anyagaikkal együtt nagy figyelmet kaptak az utóbbi években a széles tiltottsávú félvezetők között az optoelektronikai és nagy teljesítményű elektronikai eszközökben való alkalmazásuk okán. Ezen anyagokból létrehozott eszközök minőségét, és élettartamát jelentősen befolyásolják azok szerkezeti diverzitása (számos polimorf jelenléte), szerkezeti (in)stabilitásuk, a növesztett vékonyréteg szerkezeti minősége (pl. kristályhibák).
A Ph.D. jelölt feladata ilyen rétegek nano- és mikroszerkezetének (esetenként atomi léptékű) elemzése, a növekedési folyamat megértése és az eredmények ismeretében a növesztési és eszközelőállítási folyamatok optimalizálása. Ezt főként az EK MFA-ban elérhető új generációs Cs-korrigált transzmissziós elektronmikroszkópiával végzi, kiegészítve más analitikai és szerkezetvizsgálati módszerekkel. Ehhez szükséges a főbb mikroszkópos technikák (elektron diffrakciós technikák, amplitúdó kontrasztos képalkotás, fáziskontrasztos képalkotás, pásztázó transzmissziós képalkotás és csatolt analitikai módszerek) elsajátítása és azok széleskörű értékelése.
előírt nyelvtudás: angol felvehető hallgatók száma: 1
Jelentkezési határidő: 2024-05-31
2024. IV. 17. ODT ülés Az ODT következő ülésére 2024. június 14-én, pénteken 10.00 órakor kerül sor a Semmelweis Egyetem Szenátusi termében (Bp. Üllői út 26. I. emelet).
Bejelentkezés
