 Réteges van der Waals anyagok és heterostruktúráik pásztázószondás vizsgálata TÉMAKIÍRÁS Intézmény: Óbudai Egyetem anyagtudományok és technológiák Anyagtudományok és Technológiák Doktori Iskola témavezető: Nemes-Incze Péter helyszín (magyar oldal): KFKI helyszín rövidítés: KFKI A kutatási téma leírása: A réteges, van der Waals anyagokat egyszerű mechanikai exfoliációval akár egy elemi cella méretéig is le lehet vékonyítani. Ilyen anyagok közé tartozik a grafén, átmenetifém-kalkogenidek (pl. MoS2), romboéderes grafit, stb. Ezek az anyagok széles körű fizikai tulajdonságokat mutatnak, amelyek között megtalálhatóak fémek, félfémek, félvezetők, szupravezetők és topologikus szigetelők. Ezen túlmenően, a van der Waals anyagok vékony rétegei egymásra helyezhetők, miközben atomilag tökéletes interfészeket alkotnak. Így új, mesterséges 2D elektronrendszereket hozhatunk létre, amelyek fizikai tulajdonságai tervezhetők a különböző anyagok közötti kölcsönhatások megértésével, valamint az egyes rétegek egymásra helyezésének sorrendjének és krisztallográfiai orientációjának szabályozásával. Az ilyen mesterséges kristályok fizikai tulajdonságainak megértése új lehetőségeket nyithat az információs és kommunikációs technológiákban való jövőbeli alkalmazásukra. A doktorandusz jelölt mind meglévő, mind új technikákat alkalmaz majd a réteges anyagok exfoliálására és mesterséges kristályok (heterostruktúrák) előállítására kutatócsoportunk által létrehozott van der Waals száraz rétegezési technikák segítségével. A hallgató részt vesz az ezen anyagokkal való munkavégzés technikáinak fejlesztésében is, ahol az exfoliáció inert atmoszférában, N2 gáz alatt zajlik, az O2 és H2O szennyeződés szintjének 1 ppm alatt tartásával. A munka külföldi és budapesti partnerek (BME, ELTE, Wigner) segítségével valósul meg. Jelentkezési határidő: 2024-05-31 |